В Китае создали чип памяти толщиной в один атом

Source link

Фото: Getty Images (ілюстративне фото) Технология может стать основой для нового поколения процессоров

Разработка Фуданьского университета открывает путь к новой эре быстрой и энергоэффективной миниатюрной электроники.

Ученые Фуданского университета в Шанхае создали гибридный чип, который объединяет двумерные модули памяти толщиной в один атом с традиционной кремниевой архитектурой. Об этом сообщает Notebookcheck, ссылаясь на исследование из журнала Nature.

Основой новой технологии стала система Atom2Chip, которая позволяет интегрировать монослой дисульфида молибдена непосредственно на поверхность КМОП-чипа. Толщина этого материала составляет всего один атомный слой. Чтобы защитить его от повреждений, команда разработала специальную систему защиты и межплатформенную архитектуру, которая обеспечивает связь между двумерными схемами и кремниевой основой.

Созданный прототип — это чип NOR-флеш-памяти объемом 1 килобайт, который работает на частоте 5 мегагерц. Он способен выполнять операции чтения, записи и стирания данных по внешним командам, при этом время программирования или очистки составляет всего 20 наносекунд.

Интеграция двумерных материалов с кремниевыми структурами помогает преодолеть физические ограничения дальнейшей миниатюризации полупроводников. Ведь традиционная кремниевая технология уже достигла предела уменьшения размеров транзисторов, тогда как двумерные материалы открывают перспективы для создания сверхтонких и мощных электронных компонентов.

По словам исследователей, эта технология может стать основой для нового поколения процессоров и микросхем, сочетая чрезвычайную компактность с высокой производительностью.

Напомним, ранее сообщалось, что Samsung в 2027 году выпустит накопитель нового поколения объемом 512 ТБ.

 

Австралийский стартап выпустил первый в мире биокомпьютер

 

Новости от Корреспондент.net в Telegram и WhatsApp. Подписывайтесь на наши каналы https://t.me/korrespondentnet и WhatsApp